lundi 14 mai 2012

NGK développe un wafer doublant l'efficacité des Diodes (DEL)


La compagnie NGK Insulators Ltd a développé une plaquette de nitrure de gallium (GaN) capable de doubler l'efficacité des diodes électroluminescentes (DEL). D'un diamètre de 11 cm, la plaquette mise au point par NGK présente une structure monocristalline transparente. Sa densité de défauts est faible en raison de la méthode de fabrication utilisée, la croissance cristalline en phase liquide.

L'efficacité quantique interne [1] du dispositif plaquette-DEL a été évaluée par un institut de recherche indépendant et s'elève à 90% sous un courant de 200 mA. Cette valeur contraste fortement avec celle associée aux DEL puisqu'elle pour ces dernières elle ne représente que 30 à 40% sous le même courant. La valeur de l'efficacité lumineuse relevée lors du même test (200lm/W) est aussi le double de celle des DEL actuellement sur le marché. De plus, cette nouvelle plaquette permet de réduire la consommation d'électricité de moitié car elle dégage moins de chaleur en fonctionnement.

La compagnie japonaise entend commercialiser ce nouveau produit dans le courant de l'année 2012 et cherche à développer cette famille de plaquettes en produisant une variété plus grande, de l'ordre de 15 cm de diamètre. Le but de NGK est de cibler le marché des générateurs pour véhicules hybrides et électriques.

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[1] L'éfficacité quantique interne IQE (Internal Quantum Efficiency en anglais), est le rapport du nombre de photons émis en interne sur le nombre de charges utilisées.
ORIGINE : BE Japon numéro 615 (11/05/2012) - Ambassade de France au Japon / ADIT - http://www.bulletins-electroniques.com/actualites/69975.htm

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